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China FOSO componente 100V de la electrónica del transistor del diodo de semiconductor de IPB0401NM5S

FOSO componente 100V de la electrónica del transistor del diodo de semiconductor de IPB0401NM5S

Número del producto: IPB0401NM5S
Fabricante: Infineon Technologies
Categoría: Solos FETs, MOSFETs
China Productos de semiconductor discretos de FGD3N60UNDF IGBT NPT 600V 6 60W un soporte superficial TO-252AA

Productos de semiconductor discretos de FGD3N60UNDF IGBT NPT 600V 6 60W un soporte superficial TO-252AA

Fabricante: onsemi
Categoría: Solo IGBTs
Número del producto: FGD3N60UNDF
China Soporte superficial SuperSOT™-6 del Ic 25V 680mA 460mA 700mW del arsenal del Mosfet del poder de FDC6321C

Soporte superficial SuperSOT™-6 del Ic 25V 680mA 460mA 700mW del arsenal del Mosfet del poder de FDC6321C

Fabricante: onsemi
Categoría: El FET, MOSFET pone en orden
Número del producto: FDC6321C
China A.C. 96W Tc DirectFET del canal N 40V 217 del transistor del diodo del resistor de IRF7480MTRPBF isométrico YO

A.C. 96W Tc DirectFET del canal N 40V 217 del transistor del diodo del resistor de IRF7480MTRPBF isométrico YO

Categoría: Solos FETs, MOSFETs
Mfr: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®, StrongIRFET™
China Soporte superficial ATPAK del Mosfet 60 V 55A TA 60W Tc del P-canal del transistor del diodo de ATP114-TL-H

Soporte superficial ATPAK del Mosfet 60 V 55A TA 60W Tc del P-canal del transistor del diodo de ATP114-TL-H

Categoría: Solos FETs, MOSFETs
Mfr: onsemi
Tipo del FET: P-canal
China Canal N 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3 del transistor y del tiristor del diodo de IPP65R110CFDA

Canal N 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3 del transistor y del tiristor del diodo de IPP65R110CFDA

Categoría: Solos FETs, MOSFETs
Mfr: Infineon Technologies
Serie: Automotriz, AEC-Q101, CoolMOS™
China Agujero PG-TO247-4-1 del diodo 1200 V 26A Tc 115W Tc Hrough del Mosfet del canal N de IMZ120R090M1H INFINEON

Agujero PG-TO247-4-1 del diodo 1200 V 26A Tc 115W Tc Hrough del Mosfet del canal N de IMZ120R090M1H INFINEON

Categoría: Solos FETs, MOSFETs
Mfr: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC
China Nivel N 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3 de la lógica del Mosfet del canal N del poder más elevado de IPP65R110CFDA

Nivel N 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3 de la lógica del Mosfet del canal N del poder más elevado de IPP65R110CFDA

Categoría: Solos FETs, MOSFETs
Mfr: Infineon Technologies
Serie: Automotriz, AEC-Q101, CoolMOS™
China Soporte superficial 8-SOIC de IC 100V 4.5A 2.5W del arsenal del Mosfet del canal N FDS3992

Soporte superficial 8-SOIC de IC 100V 4.5A 2.5W del arsenal del Mosfet del canal N FDS3992

Fabricante: onsemi
Categoría: El FET, MOSFET pone en orden
Número del producto: FDS3992
China Transistor bipolar 450 V 30 A 200 W del diodo de BUF420AW BJT NPN a través del agujero TO-247-3

Transistor bipolar 450 V 30 A 200 W del diodo de BUF420AW BJT NPN a través del agujero TO-247-3

Categoría: Transistores bipolares - BJT
Mfr: STMicroelectronics
Tipo del transistor: NPN
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