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FOSO componente 100V de la electrónica del transistor del diodo de semiconductor de IPB0401NM5S

Lugar de origen Infineon Technologies
Nombre de la marca INFINEON
Certificación RoHS
Número de modelo IPB0401NM5S
Cantidad de orden mínima 1000 PC
Precio Negotiable
Detalles de empaquetado 1000 PCS/Tape
Tiempo de entrega 2-3 días
Condiciones de pago L/C, D/A, D/P, T/T
Capacidad de la fuente 20K PCS

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Datos del producto
Número del producto IPB0401NM5S Fabricante Infineon Technologies
Categoría Solos FETs, MOSFETs Temperatura de funcionamiento mínima -30C
Temperatura de funcionamiento máximo 125C Voltaje de fuente mínimo 3.5V
Voltaje de fuente máximo 8V Longitud 1,3 milímetros
Anchura 4,8 milímetros altura 1.7m m
Alta luz

Semiconductores ZANJA 100V IPB0401NM5S

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100V Semiconductores ZANJA IPB0401NM5S

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IPB0401NM5S 100V Semiconductores ZANJA

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Descripción de producto

IPB0401NM5S ZANJA >=100V

 

Atributos del producto:

Marca INFINEON/Infineon
Modelo IPB0401NM5S
RoHS
Categoria de producto Componentes electrónicos
Temperatura mínima de funcionamiento -30C
Temperatura máxima de funcionamiento 125C
Tensión de alimentación mínima 3.5V
Tensión de alimentación máxima 8V
Longitud 1,3 mm
Ancho 4,8 mm
Altura 1,7 mm

 

Imagen de datos:

FOSO componente 100V de la electrónica del transistor del diodo de semiconductor de IPB0401NM5S 0