• Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
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China STPSC10H065BY-TR	Diodo superficial 650 V 10A DPAK del soporte del diodo de Smd

STPSC10H065BY-TR Diodo superficial 650 V 10A DPAK del soporte del diodo de Smd

Fabricante: STMicroelectronics
Categoría: Solos diodos
Número del producto: STPSC10H065BY-TR
China Diodo Zener LM5Z5V6T1G 5.6V 200mW 40Ω

Diodo Zener LM5Z5V6T1G 5.6V 200mW 40Ω

Catálogo: Diodo Zener
RoHS: obediente
Paquete global: SOD-523
China Soporte superficial TO-252AA del circuito 800V 4A Tc 52W Tc del Mosfet del canal N del Fet de FCD1300N80Z

Soporte superficial TO-252AA del circuito 800V 4A Tc 52W Tc del Mosfet del canal N del Fet de FCD1300N80Z

Fabricante: onsemi
Categoría: Solos FETs, MOSFETs
Número del producto: FCD1300N80Z
China Mosfet Ic 40 V 195A Tc 294W Tc del canal N de IRFB7434PBF a través del agujero TO-220AB

Mosfet Ic 40 V 195A Tc 294W Tc del canal N de IRFB7434PBF a través del agujero TO-220AB

Categoría: Solos FETs, MOSFETs
Mfr: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®, StrongIRFET™
China Parada de campo del foso del semiconductor IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W

Parada de campo del foso del semiconductor IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W

Categoría: Solo IGBTs
Mfr: Semiconductor de Rohm
paquete: Tubo
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