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Soporte superficial discreto TO-263AB del diodo de semiconductor de SCS212AJTLL ROHM 650 V 12A

  • SCS212AJTLL Discrete ROHM Semiconductor Diode 650 V 12A Surface Mount TO-263AB
Lugar de origen Japón
Nombre de la marca Rohm Semiconductor
Certificación RoHS
Número de modelo SCS212AJTLL
Cantidad de orden mínima 1000 PC
Precio Negotiable
Detalles de empaquetado 1000 PCS/Tape
Tiempo de entrega 2-3 días
Condiciones de pago L/C, D/A, D/P, T/T
Capacidad de la fuente 3K PCS

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Datos del producto
Número del producto SCS212AJTLL Fabricante Semiconductor de Rohm
Tecnología Sic (carburo de silicio) Schottky Voltaje - revés de DC (Vr) (máximo) 650 V
Actual - media rectificada (Io) 12A Voltaje - delantero (Vf) (máximo) @ si 1,55 V @ 12 A
Velocidad Ninguna hora de recuperación > 500mA (Io) Tiempo de recuperación reversa (trr) 0 ns
Actual - salida reversa @ Vr µA 240 @ 600 V Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB Temperatura de funcionamiento - empalme 175°C (máximo)
Alta luz

SCS212AJTLL

,

Semiconductor de SCS212AJTLL ROHM

,

Productos de semiconductor discretos
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Descripción de producto

Soporte superficial TO-263AB del diodo 650 V 12A de SCS212AJTLL

 

Ficha técnica: SCS212AJTLL

Categoría Solos diodos
Mfr Semiconductor de Rohm
Situación del producto Activo
Tecnología Sic (carburo de silicio) Schottky
Voltaje - revés de DC (Vr) (máximo) 650 V
Actual - media rectificada (Io) 12A
Voltaje - delantero (Vf) (máximo) @ si 1,55 V @ 12 A
Velocidad Ninguna hora de recuperación > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación reversa (trr) 0 ns
Actual - salida reversa @ Vr µA 240 @ 600 V
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263AB
Temperatura de funcionamiento - empalme °C 175 (máximo)
Número bajo del producto SCS212

CARACTERÍSTICAS:

Un tiempo de recuperación más corto del ・
El ・ redujo dependencia de la temperatura
Transferencia de alta velocidad del ・ posible

 

Usos

・ PFC impulsar topología

Rectificación lateral secundaria del ・

・ Data Center

Acondicionadores de poder del picovoltio del ・

 

DataPicture: https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/sic/sbd/scs212aj-e.pdfSoporte superficial discreto TO-263AB del diodo de semiconductor de SCS212AJTLL ROHM 650 V 12A 0Soporte superficial discreto TO-263AB del diodo de semiconductor de SCS212AJTLL ROHM 650 V 12A 1

 
 
 
 
 
 
   
 
 
  
 
 
 
 
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