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SQJ488EP-T2_GE3 Vishay Siliconix Soporte superficial Ic PowerPAK SO-8 del canal N 100 V 42A Tc 83W Tc

  • SQJ488EP-T2_GE3 Vishay Siliconix N-Channel 100 V 42A Tc 83W Tc Surface Mount Ic PowerPAK SO-8
Lugar de origen Estados Unidos
Nombre de la marca Vishay
Certificación RoHS
Número de modelo SQJ488EP-T2_GE3
Cantidad de orden mínima 3000 PC
Precio Negotiable
Detalles de empaquetado 3000 PCS/Tape
Tiempo de entrega 2-3 días
Condiciones de pago L/C, D/A, D/P, T/T
Capacidad de la fuente 15K PCS

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Datos del producto
Fabricante Vishay Siliconix Categoría Solos FETs, MOSFETs
Número del producto SQJ488EP-T2_GE3 Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 100 V Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 42A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 21mOhm @ 7.1A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.5V @ 250µA Vgs (máximo) ±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 83W (Tc) Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Montaje del tipo Soporte superficial
Alta luz

SQJ488EP-T2_GE3

,

Soporte superficial ic
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Descripción de producto

SQJ488EP-T2_GE3 soporte PowerPAK® SO-8 de la superficie 83W (Tc) del canal N 100 V 42A (Tc)

 

Ficha técnica: SQJ488EP-T2_GE3

Categoría Solos FETs, MOSFETs
Mfr Vishay Siliconix
Serie Automotriz, AEC-Q101, ® de TrenchFET
Situación del producto Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 100 V
Actual - 掳 continuo 25 C del dren (identificación) @ 42A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 21mOhm @ 7.1A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Vgs (máximo) ±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 978 PF @ 50 V
Disipación de poder (máxima) 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor ® SO-8 de PowerPAK
Paquete/caso ® SO-8 de PowerPAK

 

CARACTERÍSTICAS • MOSFET del poder de TrenchFET® • AEC-Q101 calificó d • El 100% Rg y UIS probaron • Clasificación material: para las definiciones de la conformidad vea por favor http://www.vishay.com/doc?99912

 

Notas

a. Paquete limitado

b. Prueba del pulso; μs del  300 de la anchura de pulso,  el 2% del ciclo de trabajo

c. Cuando está montado en 1" PWB del cuadrado (material FR-4)

d. Verificación paramétrica en curso

e. Vea el perfil de la soldadura (www.vishay.com/doc?73257). El PowerPAK SO-8L es un paquete sin plomo. El extremo del terminal de la ventaja es de cobre expuesto (no plateado) como resultado del proceso del singulation en la fabricación. Un prendedero de la soldadura en la extremidad de cobre expuesta no se puede garantizar y no se requiere para asegurar la interconexión lateral inferior adecuada de la soldadura

f. Condiciones de la reanudación: el soldar manual con un soldador no se recomienda para los componentes sin plomo

Imagen de los datos:
SQJ488EP-T2_GE3 Vishay Siliconix Soporte superficial Ic PowerPAK SO-8 del canal N 100 V 42A Tc 83W Tc 0

Etiquetas:

Positivo de Buck Switching Regulator IC

Regulador de conmutación Buck Ic

MP8869SGL-Z