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Memoria paralela IC Chip Manufacturers 64Kbit 120 Ns 28-SOIC de AT28HC64BF-12SU EEPROM

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xCategoría | Memoria | Mfr | Tecnología del microchip |
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Paquete | Tubo | Tipo de la memoria | Permanente |
Formato de la memoria | EEPROM | Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 64Kbit | Organización de la memoria | 8K x 8 |
Interfaz de la memoria | Paralelo | Tiempo de acceso | 120 ns |
Voltaje - fuente | 4.5V ~ 5.5V | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Alta luz | AT28HC64BF-12SU IC 64Kbit 28-SOIC,IC 64Kbit 28-SOIC AT28HC64BF-12SU,IC 28-SOIC 64Kbit AT28HC64BF-12SU |
Memoria IC 64Kbit 120 paralelos Ns 28-SOIC de AT28HC64BF-12SU EEPROM
Descripción:
El AT28HC64BF es una memoria eléctrico-borrable y microprogramable de alto rendimiento (EEPROM).
Su 64K de la memoria es organizado como 8.192 palabras por 8 pedazos. Fabricado con el Cmos permanente avanzado de Atmel
la tecnología, el dispositivo ofrece tiempos de acceso a 55 ns con la disipación de poder de apenas 220 mW. Cuando es el dispositivo
no reelegida como candidato, la corriente espera del Cmos es menos del µA 100.
Detalle rápido:
Fabricante
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Tecnología del microchip
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Fabricante Product Number
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AT28HC64BF-12SU
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Fabricante Standard Lead Time
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52 semanas
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Descripción detallada
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Memoria IC 64Kbit 120 paralelos ns 28-SOIC de EEPROM
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Cualidades de producto:
TIPO
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DESCRIPCIÓN
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Categoría
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Memoria
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Mfr
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Tecnología del microchip
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Paquete
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Tubo
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Situación del producto
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Activo
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Tipo de la memoria
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Permanente
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Formato de la memoria
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EEPROM
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Tecnología
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EEPROM
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Tamaño de la memoria
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64Kbit
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Organización de la memoria
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8K x 8
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Interfaz de la memoria
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Paralelo
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Escriba la duración de ciclo - palabra, página
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10ms
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Tiempo de acceso
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120 ns
|
Voltaje - fuente
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4.5V ~ 5.5V
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Temperatura de funcionamiento
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-40°C ~ 85°C (TC)
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete/caso
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28-SOIC (0,295", anchura de 7.50m m)
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Paquete del dispositivo del proveedor
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28-SOIC
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Número bajo del producto
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AT28HC64
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Recursos adicionales:
CUALIDAD | DESCRIPCIÓN |
Otros nombres | AT28HC64BF12SU |
Paquete estándar | 27 |
Características
• Tiempo rápido del acceso de lectura – 70 ns
• La página automática escribe la operación – los cierres de la dirección interna y de datos para 64 bytes
• Rápidamente escriba las duraciones de ciclo
– La página escribe la duración de ciclo: 2 ms máximo (estándar)
– la página de 1 a 64 bytes escribe la operación
• Disipación de energía baja
– corriente activa de 40 mA
– corriente espera de 100 µA Cmos
• Protección de datos del soporte físico y del software
• La interrogación de los DATOS y el pedazo de palanca para el final de escriben la detección
• Alta tecnología de la confiabilidad Cmos
– Resistencia: 100.000 ciclos
– Retención de los datos: 10 años
• Sola 5 fuente de V ±10%
• Cmos y entradas y salidas compatibles de TTL
• JEDEC aprobó Pinout Byte-ancho
• Gamas de temperaturas industriales
• Verde (Pb/Halide-free) que empaqueta solamente
Imagen de los datos: